MENEGHESSO GAUDENZIO

Recapiti
Posta elettronica
Ce9ae9254b3c1b4a5809204df138f32c
porta questa
pagina con te
Struttura Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione (DEI)
Telefono 0498277653
Qualifica Professore ordinario
Settore scientifico ING-INF/01 - ELETTRONICA
Rubrica di Ateneo  Visualizza
 

Avvisi e altre informazioni
Fa parte dell'iniziativa di azienda ETA Semiconductors.

Dopo avere vinto il Premio Nazionale per l’Innovazione nella categoria GREEN, ETA Semiconductors è stata premiata Martedì 12 Giugno 2012 presso il Senato della Repubblica di Roma con il “Premio dei Premi per l’Innovazione 2012” – Università e ricerca pubblica- prestigioso riconoscimento riservato ad aziende, enti pubblici o persone fisiche, individuati tra i vincitori dei premi per l’innovazione assegnati annualmente a livello nazionale – alla presenza del Presidente del Senato, Renato Schifani, e del Ministro dell’Istruzione, dell’Università e della Ricerca, Francesco Profumo.

http://presidente.senato.it/agenda/63836/63837/pagina.htm

http://www.cotec.it/it/2012/06/premio-dei-premi-4/

La motivazione è stata la seguente: “ Per aver sviluppato, nell’ambito dell’Università di Padova, innovativi circuiti integrati per gestire il consumo energetico elle batterie in dispositivi portatili, quali cellulari, tablet e lettori MP3, in grado di consentire un risparmio di energia consumata, una diminuzione di emissioni elettromagnetiche e una riduzione dei costi di produzione.”

Il gruppo è composto da Gaudenzio Meneghesso, dal dott. Fabio Alessio Marino, assegnista presso il nostro Dipartimento, dal dott. Francesco Bianco, laureato in ingegneria (sempre nel nostro dipartimento), attualmente dipendente di una azienda e dal dott. Paolo Menegoli, imprenditore nel settore dei semiconduttori.

Tra i premiati, Barilla, Ansaldo, ST-Microelectronics, ENI, Pirelli, RAI, Selex….

PREMI:

1992 Ha vinto un premio SIP per le migliori sei tesi di laurea discusse presso l’Università di Padova nell’AA 1991-92.

2011 Vincitore di StartCup Veneto 2011 con la proposta “Eta Semiconductor” (10KEuro per finanziare l’avvio di una piccola azienda.

2011 Vincitore di del Premio Nazionale Innovazione “Working Capital ­ PNI” nel settore Green con “Eta Semiconductor”(100KEuro per finanziare l’avvio di una piccola azienda)

BORSE DI STUDIO

Ha vinto una borsa di studio di 6 mesi nell’ambito del programma della Comunità Europea “Human Capital and Mobility” presso l’Università di Twente, Enschede, Olanda. Durante tale periodo sono stati caratterizzati i dispositivi di protezione contro le scariche elettrostatiche.

BEST PAPER AWARDS

ESREF’96 (Enschede Olanda, 8-11 Ottobre 1996) con il Lavoro dal Titolo: “Turn-On Speed Of Grounded Gate nMOS ESD protection Transistors”

ESREF’99 (Bordeaux, France, 5-8 Ottobre 1999) con il lavoro dal titolo: “HBM and TLP ESD robustness in smart-power protection structures”

ISCHIA 2006 con il lavoro dal titolo: “Reliability issues of RF-MEMS switches”,

EOS/ESD 2006, Tucson, Arizona, September 10-15, 2006, col il lavoro dal titolo “TLP Issues on Ohmic and Capacitive RF-MEMS Switches”,

ESREF’2007 (Arcachon, France, Ottobre 7-12, 2007) con il Lavoro dal Titolo: “Holding voltage investigation of advanced SCR-based protection structures for CMOS technology”,

ESREF’2009 (Arcachon, France, Ottobre 6-9, 2009) con il Lavoro dal Titolo: “Reliability analysis of InGaN Blu-Ray Laser Diode”


Orario di ricevimento
Lunedì dalle 14:00 alle 16:00 DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA DELL'INFORMAZIONE, 1 Piano, stanza 117. Prendere appuntamento via e-mail: gaudenzio.meneghesso@unipd.it
(aggiornato il 28/06/2013 12:09)

Proposte di tesi
Tesi proposte:

- Sistemi con amplificatori operazionali (analisi e simulazione)

- I Led nell'illuminazione di ambienti domestici ed esterni

- Apllicazioni dei LED UV

- Dispositivi di Potenza

- Celle solari (tecnologie realizzative e prestazioni)

- Celle solari della 4 generazione

- Indagine di mercato sulla convenienza del Fotovoltaico

- Amplificatori di Potenza

- Convertitori DC/DC, DC/AC e AC/DC

- Tecnologie realizzative dei Display (tradizionali e touch screen)

- Sensori CCD e CMOS

Curriculum Vitae
Nato a Padova il 3 Marzo 1967
1992 Laureato in Ingegneria Elettronica a pieni voti (110/110)
1993 Premio SIP per tesi di Laurea discussa presso l'Università di Padova nell’AA 91-92
1996/7 Incarico di collaborazione nell’ambito del progetto Europeo SMT: “PROPHECY”
1997 Ha conseguito il Titolo di dottore di ricerca in Ingegneria Elettronica e delle Tlc.
1998 Ricercatore del SSD K01X (ora ING-INF/01) presso l’Università di Padova
2002 Professore Associato SSD ING-INF/01 presso Univ. Padova
2011 Professore Straordinario SSD ING-INF/01 presso Univ. Padova
2013 Professore Ordinario SSD ING-INF/01 presso Univ. Padova
2013 IEEE Fellow classe 2013 con la citazione: "for contributions to the reliability physics of compound semiconductors devices.

Dal 1992 ad oggi svolge attività di ricerca nell’ambito dello studioaffidabilistico e caratterizzazione
Di Dispositivi elettronici ed optoelettronici per la microelettronica (in particolare su dispositivi and ampio energy gap, quali Gallium Ntride e Siclicon carbide).

COORDINAMENTO DI PROGETTI DI RICERCA:
Gaudenzio Meneghesso dal 1999 ad oggi è stato responsabile di numerosi (32) progetti e contratti di ricerca che hanno accumulato un Finanziamento complessivo di oltre un sei milioni di Euro. Tra i progetti più rilevanti:

• E’ attualmente il coordinatore di un progetto Europeo (H2020): InRel-NPower, Innovative Reliable Nitride based Power Devices and Applications H2020-NMBP-2016-2017/H2020-NMBP-2016-two-stage Grant Agreement No. 720527, Total Funding: 7.19M Euro, http://www.inrel-npower.eu/
• E stato Responsabile per il DEI di tre progetti STREP della Comunità Europea: “HYPHEN, “AL-IN-WON” “HIPOSWITCH2
• E stato responsabile e coordinatore scientifico di numerosi contratti e/o progetti di ricerca con prestigiose Aziende: Nippon Telegraph and Telephony (NTT): Austria Mikro Sisteme (Graz - Austria), Matsushita (Panasonic, Giappone), Universal Display Corp. USA, STMicroelectronics (Milano), Infineon (Austria). Responsabile di Progetti finanziati Dall’Ateneo di Padova e dal MIUR (PRIN).

PUBBLICAZIONI:
I risultati delle attività di ricerca, iniziate nel 1992, sono stati presentati/pubblicati (o in corso di pubblicazione/presentazione) in più di 800 articoli di cui: più di 300 su riviste internazionali con referee e più di 500 a conferenze internazionali con referee (tra cui: più di 100 Invited Papers e 12 “Best Paper Award”). E’ inoltre coautore di 7 capitolo di libro. Infine Gaudenzio Meneghesso è Coautore di 4 brevetti. Dal 2003 ad oggi Responsabile scientifico (Tutor) di 21 tesi di Dottorato di Ricerca relativamente alle tematiche di Ingegneria dell'Informazione.

INDICI BIBLIOMETRICI (Aggiornato ad Aprile 2018)
Scopus:
Documenti: 504
Tot. Citations: 6519
h-index: 40

Google Scholar:
Documenti: 663, Tot.
Citations 9000,
h-index: 45

E’ Revisore di numerose riviste internazionali

E’ stato General Chair di 5 conferenze internazionali (WOCSDICE 2007, HETECH 2008, ESREF 2012, WOCSEMMAD 2013), TWHM 2013 (in Giappone), e ESSDERC/ESSCIRC 2014 (a Venezia)

Ha contribuito diversi anni a due importanti conferenze della IEEE: IEEE International Electron Device Meeting (IEDM) e la IEEE International Reliability Physics Sumposium.

More details can be found here: http://www.meneghesso.it

Aree di ricerca
a) Progettazione, collaudo e modellizzazione di strutture di protezione da ESD per circuiti integrati CMOS e SMART POWER
E’ stato condotto uno studio di caratterizzazione, collaudo e sviluppo di strutture di protezione realizzate in tecnologia CMOS e SMART POWER (BCD, e BCD SOI, Silicon On Insulator) analizzate tramite misure elettriche, misure di elettroluminescenza (microscopia ad emissione) e simulazioni elettro-termiche drift-diffusion bidimensionali (DESSIS-ISE

b) Caratterizzazione elettrica, modellizzazione e valutazione dell’affidabilità di dispositivi per microonde su semiconduttori III-V quali GaAs e InP
E’ stato condotto uno studio sistematico delle caratteristiche e dell’affidabilità di dispositivi ad effetto di campo (MESFETs ed HEMTs) e bipolari (HBT) cresciuti su GaAs e/o su InP. In particolare sono stati affrontati i seguenti argomenti: (i) Caratterizzazione del breakdown di dispositivi e misura del coefficiente di ionizzazione di elettroni e lacune; (ii) Miglioramento del breakdown in dispositivi su InP mediante l’utilizzo di un canale composito (InGaAs/InP) e quantizzato (spessore di canale inferiore a 10nm); (iii) Studio dei modi e meccanismi di guasto in dispositivi sottoposti a prove di vita accelerate;

c) Caratterizzazione elettrica, modellizzazione e affidabilità di dispositivi elettronici ed optoelettronici su semiconduttori ad ampio energy gap
Si studiano approfonditamente dispositivi optoelettronici (LEDs) e di potenza per microonde (MESFETs ed HEMTs) su Carburo di Silicio (SiC) e Nitruro di Gallio (GaN). Sono state caratterizzate le instabilità presenti nelle caratteristiche elettriche (collasso ed effetto kink nelle curve I-V, transitori di corrente, fotocorrente, ecc.) attribuite a stati trappola. Infine sono state condotte diverse prove di stress elettrico mirato all’identificazione di modi e meccanismi di guasto in GaN HEMTs per l’identificazione delle soluzioni tecnologiche per lo sviluppo di dispositivi robusti e affidabili.

d) Caratterizzazione elettrica, modellizzazione e affidabilità di interruttori RF-MEMS per antenne riconfigurabili.
È stato condotto uno studio di caratterizzazione, affidabilità e modellistica di analisi di guasto di interruttori (switch) realizzati in tecnologia MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) per applicazioni a radio frequenza (RF, Radio Frequency). L’obiettivo principale di questa attività di ricerca è stato (i) analizzare da un punto di vista elettro-meccanico i meccanismi di funzionamento di questi dispositivi, (ii) individuare la corretta metodologia di caratterizzazione, (iii) individuare i meccanismi di guasto mediante prove di invecchiamento accelerato ed infine (iv) misurare il loro comportamento in ambienti particolarmente ostili quale quello spaziale e quello di shock meccanico

e) Sviluppo di elettronica organica a basso costo, bassa potenza, larga area.
Gli sforzi di ricerca è stata dedicata allo studio dei fattori più importanti che limitano le prestazioni e l’affidabilità di dispositivi stato dell’arte semiconduttori organici per applicazioni elettroniche e optoelettroniche (transistori organici a film sottile, diodi emettitori di luce organici, celle solari organiche). Anche se questi dispositivi hanno strutture diverse, presentano una serie di aspetti critici comuni che devono essere studiati con l’obiettivo di migliorare le prestazioni, stabilità e affidabilità.

Pubblicazioni
Lista delle pubblicazioni maggiormente citate (al 30 Giugno 2013):

Reliability of GaN high-electron-mobility transistors: state of the art and perspectives
G Meneghesso et al.
Device and Materials Reliability, IEEE Trans. on 8 (2), 332-343, 2008
citato da 177

Surface-related drain current dispersion effects in AlGaN-GaN HEMTs
G Meneghesso et al.
Electron Devices, IEEE Trans. on 51 (10), 1554-1561, 2004
citato da 158

On-state and off-state breakdown in GaInAs/InP composite-channel HEMT's with variable GaInAs channel thickness
G Meneghesso et al.
Electron Devices, IEEE Trans. on 46 (1), 2-9, 1999
citato da 77

A review on the reliability of GaN-based LEDs
M Meneghini, LR Trevisanello, G Meneghesso, E Zanoni
Device and Materials Reliability, IEEE Trans. on 8 (2), 323-331, 2008
citato da 75

Analysis of a high-power-factor electronic ballast for high brightness light emitting diodes
G Spiazzi, S Buso, G Meneghesso
Power Electronics Specialists Conference, 2005. PESC'05. IEEE 36th, 1494-1499,2005
citato da 70

Current collapse and high-electric-field reliability of unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs
G Meneghesso, et al
Electron Devices, IEEE Trans. on 53 (12), 2932-2941, 2006
citato da 68

Accelerated life test of high brightness light emitting diodes
L Trevisanello, M Meneghini, G Mura, M Vanzi, M Pavesi, G Meneghesso, E Zanoni
Device and Materials Reliability, IEEE Trans. on 8 (2), 304-311, 2008
citato da 60

30-nm two-step recess gate InP-based InAlAs/InGaAs HEMTs
T Suemitsu, H Yokoyama, T Ishii, T Enoki, G Meneghesso, E Zanoni
Electron Devices, IEEE Trans. on 49 (10), 1694-1700, 2002
citato da 60

Influence of short-term low current dc aging on the electrical and optical properties of InGaN blue light-emitting diodes
F Rossi, M Pavesi, M Meneghini, G Salviati, M Manfredi, G Meneghesso, et al.
Journal of applied physics 99 (5), 053104-053104-7, 2006
citato da 59

Trapped charge modulation: a new cause of instability in AlGaAs/InGaAs pseudomorphic HEMT's
G Meneghesso et al.
Electron Device Letters, IEEE 17 (5), 232-234, 1996
citato da 58

A review on the physical mechanisms that limit the reliability of GaN-based LEDs
M Meneghini, A Tazzoli, G Mura, G Meneghesso, E Zanoni
Electron Devices, IEEE Trans. on 57 (1), 108-118, 2010
citato da 56

Investigation of high-electric-field degradation effects in AlGaN/GaN HEMTs
M Faqir, G Verzellesi, G Meneghesso, et al.
Electron Devices, IEEE Trans. on 55 (7), 1592-1602, 2008
citato da 55


Localized damage in AlGaN/GaN HEMTs induced by reverse-bias testing
E Zanoni, F Danesin, M Meneghini, A Cetronio, C Lanzieri, M Peroni, G Meneghesso
Electron Device Letters, IEEE 30 (5), 427-429 52 2009
citato da 52

Performance degradation of high-brightness light emitting diodes under DC and pulsed bias
S Buso, G Spiazzi, M Meneghini, G Meneghesso
Device and Materials Reliability, IEEE Trans. on 8 (2), 312-322, 2008
citato da 50

Systematic characterization of Cl< sub> 2</sub> reactive ion etching for improved ohmics in AlGaN/GaN HEMTs
D Buttari, A Chini, G Meneghesso, et al.
Electron Device Letters, IEEE 23 (2), 76-78, 2002
citato da 49

Low-frequency noise sources in as-prepared and aged GaN-based light-emitting diodes
S Bychikhin, D Pogany, LKJ Vandamme, G Meneghesso, E Zanoni
Journal of applied physics 97 (12), 123714-123714-7, 2005
citato da 47

Evidence of interface trap creation by hot‐electrons in AlGaAs/GaAs ....
G Meneghesso, et al.
Applied physics letters 69 (10), 1411-1413, 1996
citato da 43

Pubblicazioni del docente in PDF: CE9AE9254B3C1B4A5809204DF138F32C.pdf

Insegnamenti dell'AA 2018/19
Corso di studio (?) Curr. Codice Insegnamento CFU Anno Periodo Lingua Responsabile
IN0513 COMUNE IN03102536 ELETTRONICA (Ult. numero di matricola da 0 a 4)
Info e programma A.A. 2018/19
9 III Primo
semestre
ITA GAUDENZIO MENEGHESSO