Insegnamento
MICROELETTRONICA 1
IN01122625, A.A. 2010/11

Principali informazioni sull'insegnamento
Corso di studio Corso di laurea magistrale in
INGEGNERIA ELETTRONICA
IN0520, ordinamento 2008/09, A.A. 2010/11
1034971
Crediti formativi 9.0
Denominazione inglese descrizione in inglese di MICROELETTRONICA 1 da definire
Obbligo di frequenza No
Lingua di erogazione ITALIANO
Sede PADOVA

Docenti
Responsabile GAUDENZIO MENEGHESSO ING-INF/01

Dettaglio crediti formativi
Tipologia Ambito Disciplinare Settore Scientifico-Disciplinare Crediti
CARATTERIZZANTE Ingegneria elettronica ING-INF/01 9.0

Modalità di erogazione
Periodo di erogazione Secondo semestre
Anno di corso I Anno
Modalità di erogazione frontale

Organizzazione della didattica
Tipo ore Crediti Ore di
Corso
Ore Studio
Individuale
Turni
LEZIONE 9.0 78 147.0 Nessun turno

Calendario
Inizio attività didattiche 07/03/2011
Fine attività didattiche 18/06/2011

Commissioni d'esame
Nessuna commissione d'esame definita

Syllabus
Prerequisiti: Nessuno
Risultati di apprendimento previsti: Lo scopo del corso รจ approfondire gli aspetti di fisica dei dispositivi e le tecnologie di fabbricazione in modo da consentire una completa comprensione del principio di funzionamento dei dispositivi reali. A tale scopo saranno messi in evidenza gli elementi parassiti che caratterizzano il comportamento dei dispositivi nelle reali applicazioni pratiche (capacita? parassite, tempi di ritardo, non idealita?, ...).
Contenuti:
Programma: Cenni di fisica dei semiconduttori.
Contatti metallo/semiconduttore:
struttura a bande e caratteristica corrente/tensione;
contatti Schottky non rettificanti (ohmici).
Giunzione pn:
comportamento statico,
breakdown della giunzione,
calcolo della corrente nella giunzione pn e caratteristica corrente-tensione
comportamento dinamico.
Il sistema metallo/ossido/semiconduttore (MOS):
Condensatori MOS: struttura a bande, proprieta' elettriche e carica all'interfaccia e nell'ossido.
Il transistor MOS: struttura, caratteristiche statiche e dinamiche.
Non idelaita' del dispositivo MOSFET (correnti di sottosoglia, effetti di canale corto e stretto).
Tecnologia di fabbricazione di circuiti integrati CMOS.
Crescita del Silicio...
Ossidazione
crescita di strati epitassiali
deposizione di film sottili (ossidi, metalli, )
Fotolitografia ed Etching
Doping per diffusione e per impiantazione
Testi di riferimento:
Metodi didattici: Tradizionale
Metodi di valutazione: Prova scritta e prova orale
Altro: Nessuna