DE SALVADOR DAVIDE

Recapiti
Posta elettronica
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Struttura Dipartimento di Fisica e Astronomia "Galileo Galilei"
Telefono 0498277107
Qualifica Professore associato confermato
Settore scientifico FIS/03 - FISICA DELLA MATERIA
Rubrica di Ateneo  Visualizza
 

Proposte di tesi
Processo laser doping per lo sviluppo di dispostivi per imaging gamma

La creazione di immagini di sorgenti gamma è un settore di ricerca in forte espansione grazie alle numerose applicazioni in ambito medico, astrofisico e per la sicurezza. Il germanio iperpuro è tra i semiconduttori più interessanti per queste applicazioni, grazie all’elevata risoluzione energetica (bassa gap) e gli ampi volumi di interazione. I processi per ottenere dispositivi segmentati (con contatti elettrici separati elettricamente) sono però scarsamente efficienti, principalmente perché i processi standard della microelettronica possono rovinare la purezza del materiale (1 impurezza dorgante su 10^12 atomi). L’utilizzo di laser impulsati per produrre il drogaggio del contatto è una tecnica estremamente promettente grazie al riscaldamento localizzato e breve indotto nel materiale. Scopo della tesi è produrre e caratterizzare detector segmentati di germanio iperpuro tramite tecnica laser. Lo studente seguirà l’intero processo dall’ideazione tramite simulazioni, alla realizzazione dei contatti tramite processi litografici e laser, al test elettronico dei contatti e delle performance finali del dispositivo. L’attività verrà svolta nei laboratori del DFA e di Legnaro e rappresenta un occasione formativa completa nel mondo dei dispositivi a semiconduttore.

Curriculum Vitae
Nato nel 1972, ha conseguito la laurea in fisica e il dottorato di ricerca presso l'Università di Padova nel 1997 e nel 2001 rispettivamente. Dal 2005 al 2014 è stato ricercatore presso l'Università di Padova. Dal 2014 è professore associato presso la stessa università dove insegna fisica e tecnologia dei semiconduttori per le lauree magistrali Fisica e Scienza dei Materiali e Sperimentazioni di fisica II per la laurea in astronomia. Le sue attività di ricerca sono state dedicate alle proprietà strutturali sperimentali dei materiali semiconduttori sfruttando le tecniche di analisi a raggi X e di fascio ionico. Inoltre, ha maturato esperienza riguardo alla simulazione di dati sperimentali utilizzando il calcolo delle equazioni differenziali continue, che consente lo sviluppo e la calibrazione di modelli fisici predittivi. Questo approccio è stato proficuamente applicato a molti aspetti della diffusione di droganti e impurità, della segregazione e del clustering nei semiconduttori di Si, Ge e III-V, ricerca fortemente connessa con le applicazioni micro e nanoelettroniche perché studia passaggi fondamentali della fabbricazione dei dispositivi. Egli indaga anche l'interazione coerente di fasci accelerati con cristalli per applicazioni nella fisica degli acceleratori e nella produzione di radiazioni.
De Salvador coordina il laboratorio di diffrazione presso il dipartimento di fisica e le attività di analisi delle canalizzazioni RBS-NRA presso i laboratori nazionali di Legnaro (LNL-INFN). De Salvador è autore di oltre 160 articoli peer reviewed (H-index 23) ed è referee della prestigiosa rivista di Physical Review Letters

Aree di ricerca
1. Semiconductor doping processes for nanoelectronic applications (experiments and modelling)
2. Crystals microfabbrication for channeling of relativistic particles (fabrication and test beams).

Pubblicazioni


Pubblicazioni del docente in PDF: 074E21882291BCDCEFC5937F59E10B9C.pdf

Insegnamenti dell'AA 2019/20
Corso di studio (?) Curr. Codice Insegnamento CFU Anno Periodo Lingua Responsabile
SC1174 COMUNE SCN1037879 10 I Anno (2019/20) Primo
semestre
ITA CHIARA MAURIZIO
SC1174 COMUNE SCP9087650 8 I Anno (2019/20) Primo
semestre
ENG DAVIDE DE SALVADOR
SC2382 002PD SCP7081797 6 II Anno (2019/20) Primo
semestre
ENG DAVIDE DE SALVADOR
SC1158 COMUNE SCO2045411 13 I Anno (2019/20) Annuale ITA CINZIA SADA